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- LED 에피 EL 분석 - real time 두께 측정 - 결정 결함 분석
웨이퍼 실시간 두께측정
 결정 결함 분석기, DLTS

 

l기판 내부결함 분석 (CS1)

 

wide band gap 소재 : SiC, GaN, AlN

 

제품 검사 과정에서 안정성이 좋음

 

신속한 검사 : 6“ wafer 기준 90초 이내 측정

 

XRT 측정 결과와 잘 일치 함 (저비용, 고사양 구현)

 

   (잔류 응력 및 결정 결함에 의해 유도된 crystal strain 측정)

 

고 해상도 관찰 : 400dpi ~ 4800dpi

 

lDLTS 분석

 

Material: SiC, GaN, Si, GaAs, Ga2O3, MOS (MIS) interface

 

lImplantation 서비스 (SiC wafer)

 

Shingle shot, Box profile

 

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