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- 알루미나 (Al2O3) - CMP Slurry - Sputtering 타겟
Sputtering 타겟
 

 

CMP slurry

lSiC (실리콘 카바이드) Polishing 슬러리 
CMP 슬러리: Si-face, C-face 
Pre CMP 슬러리: 나노다이아몬드 
lGaN, AlN, Diamond 기판 Polishing 슬러리 
l사파이어 Polishing 슬러리 
lPAD (12", 24", 39”, 40” / Lapping, CMP)

Silicon Carbide (SiC) 슬러리

l High Removal Rate/High Finish SiC Slurry (SCT, SC-SX series) 
l Pre CMP Mechanical Nanodiamond Slurry (SC-MC Series)

 

Silicon Carbide (SiC) 슬러리의 특징 

l 기존 슬러리에 비해 연마 속도가 2-5배 정도는 빠르다 
l 표면 손상이 없이 원자적으로 smooth 한 면을 얻는다 
l 모든 종류의 표면 (lapped 또는 기계 연마된) epi ready finish로 가공 가능하다
l Si-face, C-face, 단결정, 다결정 표면 가공
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